Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам’яті

Вчені з Фуданьського Університету встановили новий світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, створивши флеш-пам’ять, яка може зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Цей новий пристрій, позначений як PoX, є енергонезалежним і набагато швидшим за інші типи пам’яті, такі як SRAM і DRAM. Вчені використовували алгоритми штучного інтелекту для оптимізації тестування та прискорення розвитку технології. Команда дослідників планує далі вдосконалювати пристрій з метою його комерціалізації. Результати дослідження були опубліковані у журналі Nature.